3.MEMS 射频滤波器制作技能----把握适用高频段的体声波（BAW）滤波器的要害制作技能，以 MEMS工艺技能完结小体积、高功用滤波器的制作----推进根底单步工艺研制及集成工艺整合----构成 BAW 滤波器的商业化、规模化 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自国内滤波器规划厂商的本乡代工需求-----继续拓荒 5G 通讯商场的新产品范畴，促进公司 BAW 滤波器代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　4.MEMS 射频谐振器制作技能----把握谐振器集成制作技能，以 MEMS 工艺技能完结小体积、高功用谐振器的制作----推进薄膜堆积工艺、薄膜刻蚀工艺研制----构成面向滤波器、谐振器、的 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求-----继续拓荒 5G 通讯商场的新产品范畴，促进公司 MEMS 滤波器、谐振器代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　5.MEMS 射频谐振器制作技能-----把握谐振器集成制作技能，以 MEMS 工艺技能完结小体积、高功用谐振器的制作-----项目针对详细波段滤波器已完毕。新波段滤波器正在进行----构成面向滤波器、振荡器、气体传感器的MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司滤波器、振荡器、气体传感器代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　6.MEMS 射频滤波器制作技能----把握适用高频段的体声波（BAW）滤波器的要害制作技能，以 MEMS工艺技能完结小体积、高功用滤波器的制作-----2.4G 波段试出产或危险出产-----构成 BAW 滤波器的商业化、规模化 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自国内滤波器规划厂商的本乡代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司 BAW 滤波器代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　7.MEMS 微波前端模块制作技能-----把握微波前端模块的要害制作技能，以 MEMS工艺技能完结小体积、归纳功用微波前端模块的制作----推进技能攻关与根底运用研制、推进产品器材制作-----构成面向射频/毫米波前端器材、射频/毫米波前端模块的 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有商场潜力的6G、太赫兹通讯新产品范畴，促进公司在高频通讯、轿车雷达 MEMS器材代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　8.MEMS 微波功分器制作技能----把握高频通讯器材的要害制作技能，以 MEMS工艺技能完结小体积、高功用微波功分器的制作----推进技能攻关与根底运用研制、推进产品器材制作-----构成面向高频通讯器材的 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的6G、太赫兹通讯产品范畴，促进公司高频通讯器材代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　9.振膜鄙人 MEMS硅麦克风制作技能----把握振膜鄙人的硅麦克风的制备工艺，以MEMS 工艺完结高功用麦克风的制作----推进要害振膜技能开发及集成工艺整合-----进步 MEMS 硅麦克风的工艺开发及晶圆制作水平，服务并满意来自消费电子等范畴客户的代工需求----充分发挥 MEMS 硅麦克风尺度小、功用优秀、一致性高级特色，促进公司 MEMS 硅麦克风代工事务的开展。

　　10.自在振膜 MEMS硅麦克风制作技能-----把握自在振膜的硅麦克风的制备工艺，以MEMS 工艺完结高功用麦克风的制作-----推进要害振膜技能开发及集成工艺整合-----进步自在振膜的高灵敏度的硅麦克风工艺开发及晶圆制作水平，服务并满意于高端消费类电子范畴客户的代工需求----充分发挥 MEMS 硅麦克风尺度小、功用优秀、一致性高级特色，扩展示有硅麦克风品类，促进公司 MEMS 硅麦克风代工事务的开展。

　　11.MEMS 气体传感器芯片制作技能-----把握气体传感器材的要害制作技能，以 MEMS工艺技能完结低功耗、高牢靠性气体传感器的制作-----推进技能攻关与根底运用研制、推进产品器材制作。危险出产阶段------构成面向气体传感器材的 MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司气体传感器代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　12.车用 MEMS 惯性传感制作技能----把握车用惯性传感器材制备工艺，依据已有经历进一步研制车用MEMS 惯性传感器材出产制作工艺----推进要害刻蚀，键合，喷胶工艺研制----进步 MEMS 惯性传感器的工艺开发及晶圆制作水平，服务并满意来自消费电子、工业轿车范畴客户的代工需求----有利于发挥公司原有技能堆集，促进公司MEMS 惯性传感器代工事务的开展。

　　13.MEMS 生物芯片制作技能----把握生物芯片的要害制作技能，以 MEMS 工艺技能完结硅衬底与玻璃衬底的兼容，完结生物微机电体系的低本钱、大批量制作----危险出产阶段----构成面向生物芯片的MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，在芯片外表构建微型生物化学剖析体系，完结生物基因信息的精确、快速、很多检测，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----通明晶圆（石英或玻璃）的量产才能，拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司生物芯片代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　14.微振镜制作技能-----键制作技能，以 MEMS工艺技能完结激光反射镜与电磁二维驱动器的集成，完结小型化、低本钱、高精度微振镜的制作----认证通过---- MEMS 工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求-----的新产品范畴，促进公司微振镜代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　15.MEMS 硅光子通讯芯片制作技能----把握硅光子芯片的要害制作技能，以 MEMS 工艺技能在芯片上构建高功用光子组件的集成与大规模扩展，完结硅光子芯片的规范化工艺制作----推进技能攻关与根底运用研制----构成面向硅光子通讯芯片的 MEMS 工艺开发及CMOS 晶圆再加工的MEMS 制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司硅光子代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　16.新式 MEMS 硅光子器材制作技能----依据已有经历进一步研制针对新式硅光子器材的出产制作工艺----危险出产阶段-----丰厚 MEMS 硅光子器材工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自通讯、消费电子范畴规划厂商的代工需求---进一步稳固公司在MEMS 硅光子器材代工范畴的竞赛优势，促进公司相应代工事务的开展。

　　17.新式 MEMS 医学器材制作技能----依据已有经历进一步研制针对超声、压力、微针、芯片实验室等医学器材的出产制作工艺----危险出产阶段-----丰厚 MEMS 医学器材工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来生物医疗各细分范畴规划厂商的代工需求----进一步稳固公司在MEMS 医疗器材代工范畴的竞赛优势，促进公司相应代工事务的开展。

　　18.新式 MEMS 红外器材制作技能----依据已有经历进一步研制针对新式红外器材的出产制作工艺----危险出产阶段----丰厚 MEMS 红外器材工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自生物医疗、工业轿车范畴规划厂商的代工需求-----进一步稳固公司在MEMS 红外器材代工范畴的竞赛优势，促进公司相应代工事务的开展。

　　19.新式 MEMS 超声波换能器材制作技能----依据已有经历进一步研制针对新式超声波换能器材的出产制作工艺-----危险出产阶段----丰厚 MEMS 超声波换能器材（包含电容式CMUT 和压电式 PMUT）工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自生物医疗、工业轿车、消费电子范畴规划厂商的代工需求----进一步稳固公司在MEMS 超声波换能器材代工范畴的竞赛优势，促进公司相应代工事务的开展。

　　20.新式 MEMS 惯性器材制作技能-----依据已有经历进一步研制针对新式惯性器材的出产制作工艺---危险出产阶段---丰厚 MEMS 惯性器材（包含加快度计和陀螺仪）工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自消费电子、工业轿车范畴规划厂商的代工需求----进一步稳固公司在MEMS 惯性器材代工范畴的竞赛优势，促进公司相应代工事务的开展。

　　21.GaN 外延资料----把握面向功率器材运用的大尺度硅基 GaN 资料的外延制作技能，进一步进步资料的牢靠性、量产工艺安稳性----危险出产阶段-----丰厚 GaN 外延工艺开发及晶圆制作才能，服务并满意来自 GaN 功率器材代工厂的多种衬底需求----进一步稳固公司在功率运用的硅基 GaN 外延晶圆范畴的竞赛优势，促进公司相应范畴浸透。

　　22.GaN 650 V 功率芯片-----依据第三方代工渠道，研制 650V 氮化镓功率器材，并构成安稳牢靠的量产-----危险出产阶段------能够满意消费级运用规范，构成批量出货-----进一步稳固公司在 GaN功率器材范畴的竞赛优势，构成公司自有品牌效应。

　　23.GaN 功率器材高频运用----依据 GaN 资料的特性，深化发掘 GaN 功率器材的优势，开发高频运用计划渠道----完结初版调试，要害运用技能攻关阶段-----完结高频运用计划渠道的储藏，把握高频运用的中心技能，为客户供给技能服务----扩展 GaN 功率器材的运用范畴，促进公司 GaN功率器材事务的推行，进步公司的竞赛力。

　　24.高栅耐压 P-GaN 增强型外延技能----通过外延结构研制优化，极大起伏地减低栅漏电，在更高安全栅压范围内将栅漏电操控在100 A 以内，有用处理 P-GaN器材在高牢靠性运用中的栅耐压问题---xxxx-----的 P-GaN 增强型外延晶圆，该器材栅漏电仅为传统P-GaN 器材的万分之一-------外延晶圆的技能打破，将会加快进步 GaN 器材在各运用范畴的浸透率，进一步稳固公司在GaN 功率器材范畴的竞赛优势。

　　25.GaN 900V 产品外延技能-----通过外延结构研制优化，进步外延结构耐压特性至 900V，使产品能够满意大都工业级运用关于高耐压的需求------危险出产阶段------完结外延技能打破，把握 900V 外延成长技能，使得产品能够满意大都工业级运用关于高耐压的需求----GaN900V 产品外延技能的打破，使其能够满意工业级运用范畴的需求，进一步完善公司产品布局，进步公司竞赛力。

　　26.大功率氮化镓器材开发-----完结氮化镓器材在光伏、通讯电源等工业范畴内的运用-----危险出产阶段-----完结外延技能打破，把握 900V 外延成长技能，使得产品能够满意大都工业级运用关于高耐压的需求----GaN900V 产品外延技能的打破，使其能够满意工业级运用范畴的需求，进一步完善公司产品布局，进步公司竞赛力。

　　27.大功率氮化镓器材开发----完结氮化镓器材在光伏、通讯电源等工业范畴内的运用-----危险出产阶段-----开宣布 650V50 毫欧以下的氮化镓器材，并通过牢靠性认证----进一步加强公司在氮化镓工业范畴运用的竞赛力。

　　28.车规级氮化镓器材规划与制作-----完结氮化镓器材在车载OBC、DC-DC 等范畴内的运用---研制阶段----通过对当时器材在车规认证中的失效剖析，结合外延结构和加工工艺的优化调整，处理氮化镓器材在车上运用的牢靠性问题----完善公司氮化镓器材在新能源车范畴运用的布局，增强公司在氮化镓范畴的头部位置。

　　29.GaN 功率器材300KHz 高功率运用渠道-----充分发挥 GaN 资料的优势，开发 300KHz 高功率、高功率密度运用计划渠道-----危险出产阶段-----完结 300KHz 高功率、高功率密度运用计划渠道开发，把握高功率计划的中心技能，为客户供给技能服务-----展示 GaN 功率器材的优势，为客户供给高性价比的运用计划，进步公司的竞赛力。

　　30.GaN 功率器材照明、显现范畴运用----运用 GaN 功率器材的优势，开发照明范畴和显现范畴运用计划渠道-----危险出产阶段-----完结 300KHz 高功率、高功率密度运用计划渠道开发，把握高功率计划的中心技能，为客户供给技能服务----展示 GaN 功率器材的优势，为客户供给高性价比的运用计划，进步公司的竞赛力。

　　31.GaN 功率器材照明、显现范畴运用----运用 GaN 功率器材的优势，开发照明范畴和显现范畴运用计划渠道----危险出产阶段-----完结照明范畴和显现范畴运用计划渠道开发，把握不同范畴的 GaN 功率器材运用技能，为客户供给技能服务----扩展 GaN 功率器材的运用范畴，促进公司 GaN功率器材事务的推行，进步公司的竞赛力。

　　32.继续性研制活动-MEMS 工艺研制-----依据职业开展趋势及客户需求，环绕硅/金属通孔、晶圆键合及深反应离子刻蚀工艺以及压电资料、磁性资料及聚合物资料等进行研制----继续进行中------进一步进步 MEMS 代工范畴技能壁垒，稳固竞赛优势，不断进步工艺开发及晶圆制作水平----有利于公司 MEMS 事务的继续添加。

　　33.继续性研制活动-GaN 资料成长及芯片规划----依据职业开展趋势及客户需求，环绕 6-8 英寸GaN 外延资料成长工艺、GaN 功率及微波器材规划及运用进行研制-----继续进行中----树立并堆集 GaN 资料及器材范畴的技能及窍门，把握第三代半导体职业开展机会----有助于公司开展 GaN 事务，为半导体主业拓荒新的范畴。

　　智能传感器是数字经济开展的数据感知中心产品，是新一代信息技能开展运用的重要支撑，是在“万物互联”年代从源头保证数据安全的要害所在，是施行国家科技强国战略、促进我国工业开展的要害环节之一。

　　现在，传感器广泛运用于社会开展及人类日子都的各个范畴，如工业主动化、农业现代比、航天技能、军事工程、机器人技能、资源开发、海洋勘探、环境监测、安全捍卫、医疗确诊、交通运输、家用电器等。

　　2021年，我国传感器商场规模约为2975.1亿元， 较上年添加469.5亿元，同比添加18.74%；估计2022年我国传感器商场规模将打破3400亿元，同比添加14.28%。2023年我国传感器商场规模3800亿元。估计2026年我国传感器职业商场规模将到达7082亿元。

　　深圳2023年3月24日 -- 近来，世界公认的测验、查验和认证组织SGS与深圳市速腾聚创科技有限公司（以下简称：速腾聚创）成功举行RoboSense MEMS振镜模组荣获SGS AEC-Q100产品牢靠性认证颁证典礼。

　　RF CMOS 制程最大的优点，将射频、基频与存储器等组件高整合度，减小体系的尺度、下降功耗和低本钱。

　　RF MEMS技能包含RF前端模块的功率放大器、滤波器(Filter)和双工器(Duplexer)均可动态调整，从而到达更高功率；

　　别的，因为RF MEMS兼容CMOS 制程并支撑数字接口，未来亦可望与逻辑芯片进一步结合，完结更高整合度的手机体系处理计划。

　　RF MEMS寻求的重要方针之一，便是将更多射频前端器材和模块集成到单片上，完结高功用目标和微小型化，类似于微电子制作工艺批量化低本钱完结。

　　RF CMOS可选用MEMS微机电半导体谐振器替代XO傍边的晶体谐振元件，将高效能MEMS直接建构在规范的CMOS晶圆底片上，终究构建成RF CMEMS（RF CMOS+MEMS）工艺渠道，结合混合信号常识，RF CMEMS技能能够选用单一参阅频率生成简直一切频率输出，而且输出频率与大批量出产的晶体振荡器相同安稳，为频率操控工业带来明显的优势，包含更小尺度、更高功用、更低本钱和更好的可扩展性。

　　CMEMS工艺其它产品线将满意不同细分范畴电子商场，从低频到高频，从嵌入式消费类产品到高功用通讯和网络运用，终究，将选用比石英处理计划更小、更经济、更牢靠、更简单制作和集成进入体系规划的重整频率操控产品，为整个电子商场供给服务。

　　事例：公司没有对RF CMEMS工艺渠道进行理论上的表述进步，实践在做，如

　　15.MEMS 硅光子通讯芯片制作技能----把握硅光子芯片的要害制作技能，以 MEMS 工艺技能在芯片上构建高功用光子组件的集成与大规模扩展，完结硅光子芯片的规范化工艺制作----推进技能攻关与根底运用研制----构成面向硅光子通讯芯片的MEMS 工艺开发及CMOS 晶圆再加工的MEMS 制作才能，服务并满意来自下流规划厂商的代工需求----拓荒具有巨大商场潜力的新产品范畴，促进公司硅光子代工事务的开展，为公司添加新的事务添加点。

　　赛微电子现已202项发明专利对BAW滤波器芯片MEMS工艺构成技能壁垒，其间：

　　【RF MEMS开关】RF MEMS开关是电子体系最基本的组成部分之一，占射频前端器材/模块的份额 7 %。 电子MEMS开关是电子体系的革新者，服务于多个职业，包含下一代5G移动网络、工业物联网商场、电池办理、智能家居、电子轿车和医疗仪器。MEMS开关是一种低损耗，高功率开关，仅需几皮安即可作业，其运转速度比典型的机械开关快1000倍。

　　【滤波器】高频BAW滤波器，5G中占射频前端份额达66%。目标到达商业运用水平，其带内最低插损已到达1.5dB以下，带外按捺超越30dB。插损值越小意味着信号的损耗越小，能够减小设备的能量消耗，一起进步信号的接纳灵敏度并添加设备通讯间隔；带外按捺越大则意味着对搅扰信号的过滤才能越强，过滤后的信号越纯洁，产品的用户体会越好。

　　【依据MEMS的芯片实验室】该芯片用于疾病的快速前期检测。它是榜首个供给主动操作的彻底集成的分子确诊体系，将临床样品制备，核酸提取以及微流体实时聚合酶链反应（PCR）扩增和检测功用整合到一个独立的体系中。它能够一起满意批处理作业流和按需测验的要求，以最大程度地进步实验室功率和灵活性，而且该体系现在已在与新冠状病毒的战役中布置。

　　【MEMS医疗压力传感器】MEMS技能是推进人体内部运用的未来医疗设备的要害推进力。该样本显现了世界上最小的压力传感器，该传感器用于外科导管上以部分丈量人心脏小冠状动脉中的血压。

　　【DNA测序芯片】该产品是世界上榜首个纳米孔DNA测序渠道，具有从口袋巨细的设备到超高通量设备的共同扩展才能。该技能供给了对任何长度的DNA或RNA片段（短或超长）进行测序的才能。现在，这项技能已在全球100个国家/区域被人类、植物、动物、，微生物或环境遗传学研究人员所运用，而且在医疗保健或食品安全等运用商场中也日渐盛行。

　　【二代基因测序】通过Silex integration 独有的方法，可进行Si substrate、Quartz wafer、Glass wafer兼容。此产品为二代基因测序芯片，整张wafer布满了1-2 um的微坑结构。通过后续的亲水疏水DNA功用团润饰，以及有胶键合的微流道玻璃substrate，构成DNA，蛋白质，核酸分子等检测。该产品AOI良率98.6%。

　　【CMOS wafer 再加工才能】Silex关于工艺光刻技能，介质层刻蚀技能，深硅刻蚀等技能的不断深耕，可对老练0.18 um工艺的IC芯片进行后续加工。其间包含1.2 um 开口的介质刻蚀（Oxide/FSG/BPSG/SiN），深宽比 8：1。并进行 1 um 的开口进行深硅刻蚀，深宽比 28：1。该工艺才能现阶段助力于光通讯范畴、基因测序范畴等。

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